据外媒报道，长江存储近日宣布已开始出货其第五代3D TLC NAND闪存。这款闪存采用了Xtacking 4.0架构，堆叠层数高达294层，并拥有232个有源层，实现了技术上的重大突破。

长江存储最近欢天喜地地宣布，旗下第五代3D TLC NAND闪存开始出货了！这款新闪存可不是普通的存储芯片，它采用了先进的 Xtacking 4.0架构，堆叠层数高达294层，拥有232个有源层，真是如同科技中的“摩天大楼”般引人瞩目！这一技术突破不仅让长江存储在闪存技术上大幅提升，更意味着它已经成功追赶上了韩国和美国等全球存储行业的领军企业。

据悉，长江存储已经在新的闪存产品上超越了韩国、美国等其他头部存储企业。目前，该公司推出的第五代3D TLC NAND闪存产品的位密度超过了20Gb/mm（混合键合技术将闪存阵列与CMOS逻辑和接口连接起来，以最大限度地提高存储密度和I/O性能）。虽然整体来说，这个数值略低于铠侠和西部数据BiCS8 QLC NAND闪存产品的22.9Gb/mm，但是考虑到市场上其他企业的表现，这一成绩已经非常优秀。