GaN达到临界点的第二个应用是卫星电源。GaN不仅性能优于 MOSFET，而且几乎不会因为太空辐射影响而导致性能下降，帮助达到这一临界点的关键人物是VPT公司CEO兼创始人 Dan Sable。截至目前，GaN ...